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Siehe Technische Spezifikationen

IPD50R950CEBTMA1 +BOM

Robust electrical characteristics and high reliability make this MOSFET suitable for demanding applications

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IPD50R950CEBTMA1
Datenblatt:

IPD50R950CEBTMA1 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

4.3A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

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IPD50R950CEBTMA1 Information

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen IPD50R950CEBTMA1-Treiber von Infineon Technologies an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung IPD50R950CEBTMA1.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	13V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	231 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max)	34W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	IPD50R
Package/Case	TO-252-3

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