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Siehe Technische Spezifikationen

IRF7301TRPBF +BOM

Featuring an N-channel silicon MOSFET architecture

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IRF7301TRPBF
Datenblatt:

IRF7301TRPBF Datenblatt (PDF)
Serie: IRF7301
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

no
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IRF7301TRPBF Information

Allgemeine Beschreibung

Featuring an N-channel polarity, the IRF7301TRPBF is a dual configuration transistor designed for high performance. With a continuous drain current of 5.7A and a drain-source voltage of 20V, it offers a low ON resistance of 50mOhm, making it suitable for various applications. The gate-source voltage is 12V, and it has fast switching times, with a fall time of 51ns, rise time of 42ns, turn-off delay time of 32ns, and turn-on delay time of 9ns. With an operating temperature range of -55°C to 150°C, it is suitable for use in diverse environments. The IRF7301TRPBF comes in an SO-8 package with 8 pins, and it is designed for surface-mount installation. This product is rated MSL Level-1 and is packaged in tape & reel for convenience. With a power dissipation of 2W, it offers reliable and efficient performance

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Pulse Width Modulation
High Efficiency Control
Overcurrent Protection

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Solenoid drivers
LED lighting control
Switching circuits

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	no	Package/Case	SOP-8

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