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Siehe Technische Spezifikationen

JAN2N2219AL +BOM

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Tube

Hersteller:

Microchip Technology
Herstellerteil #:

JAN2N2219AL
Datenblatt:

JAN2N2219AL Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1V @ 50mA, 500mA

JAN2N2219AL Information

Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 800 mA 800 mW Through Hole TO-5

Spezifikationen

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	10nA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	800 mW	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	-55°C ~ 200°C (TJ)	Grade	Military
Qualification	MIL-PRF-19500/251	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	2N2219	Package/Case	TO-205AA,TO-5-3MetalCan

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