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SD1480 +BOM
Compact design ideal for FM-module integrati
M111-
Hersteller:
Stmicroelectronics
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Herstellerteil #:
SD1480
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Datenblatt:
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Transistor Type:
Bipolar Power
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Technology:
Si
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Transistor Polarity:
NPN
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Operating Frequency:
175 MHz
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Verfügbarkeit: 7194 Stck
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SD1480 Information
Allgemeine Beschreibung
The SD1480 is a RF Bipolar Transistor NPN 28V 136-175MHz offering by STMicroelectronics. This device is a high-performance transistor designed for various radio frequency applications such as amplifiers, switches, and oscillators. Its operating frequency range of 136-175 MHz makes it suitable for use in wireless communication systems. The SD1480 is a single unit with surface-mount technology (SMT) package M111, offering compact size and easy installation. This device provides high voltage handling capability up to 36V and high current gain of 200, making it an ideal choice for demanding RF applications.
Hauptmerkmale
- NPN bipolar power transistor
- Operating frequency range: 136-175 MHz
- Maximum collector-emitter voltage (VCEO): 36 V
- Collector-base voltage (VCBO): 65 V
- DC current gain (hFE): up to 200
- Power dissipation (Pd): 270 W
- Single unit with SMT package M111
Anwendung
- Wireless communication systems
- Amplifiers
- Switches
- Oscillators
Spezifikationen
Product Category | RF Bipolar Transistors | Series | SD1480 |
Transistor Type | Bipolar Power | Technology | Si |
Transistor Polarity | NPN | Operating Frequency | 175 MHz |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 20 | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 36 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 4 V | Continuous Collector Current | 20 A |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Configuration | Single | Mounting Style | SMD/SMT |
Collector- Base Voltage VCBO | 65 V | DC Current Gain hFE Max | 200 |
Gain Bandwidth Product fT | 175 MHz | Height | 7.11 mm |
Length | 24.89 mm | Maximum DC Collector Current | 20 A |
Pd - Power Dissipation | 270 W | Product Type | RF Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 25 | Subcategory | Transistors |
Type | RF Bipolar Power | Width | 21.97 mm |
Package/Case | M111 |
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