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2SK1306 +BOM

Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FM, 3 PIN

Hersteller:

Hitachi Ltd
Herstellerteil #:

2SK1306
Datenblatt:

2SK1306 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SK1306

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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2SK1306 Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FM, 3 PIN

Hauptmerkmale

Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device
- Can be driven from 5 V source
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	3
ECCN Code	EAR99	Case Connection	ISOLATED
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	15 A	Drain Current-Max (ID)	15 A
Drain-source On Resistance-Max	0.18 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	30 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	60 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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