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Siehe Technische Spezifikationen

A3T18H455W23SR6 +BOM

RF Mosfet 30 V 600 mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 16.7dB 192W ACP-1230S-4L2S

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

A3T18H455W23SR6
Datenblatt:

A3T18H455W23SR6 Datenblatt (PDF)
Technology:

LDMOS
Configuration:

Dual
Frequency:

1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain:

16.7dB
EDA/CAD Modelle:

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A3T18H455W23SR6 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 30 V 600 mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 16.7dB 192W ACP-1230S-4L2S

Hauptmerkmale

Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	-
Technology	LDMOS	Configuration	Dual
Frequency	1.805GHz ~ 1.88GHz	Gain	16.7dB
Voltage - Test	30 V	Current Rating (Amps)	10µA
Noise Figure	-	Current - Test	600 mA
Power - Output	192W	Voltage - Rated	65 V
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	A3T18
Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	Dual N-Channel
Id - Continuous Drain Current	3.6 A	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 500 mV, 65 V
Operating Frequency	1805 MHz to 1880 MHz	Output Power	87 W
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Number of Channels	2 Channel
Product Type	RF MOSFET Transistors	Factory Pack Quantity	150
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	LDMOS FET
Type	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage	- 6 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.4 V	Part # Aliases	935354975128
Unit Weight	0.212803 oz

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