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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

HMC349ALP4CE +BOM

High Isolation, Nonreflective, GaAs, SPDT Switch, 100 MHz to 4 GHz

Hersteller:

Analog Devices Inc.
Herstellerteil #:

HMC349ALP4CE
Datenblatt:

HMC349ALP4CE Datenblatt (PDF)
RF Type:

General Purpose
Topology:

Absorptive
Circuit:

SPDT
Frequency Range:

0Hz ~ 4GHz
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an HMC349ALP4CE

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

HMC349ALP4CE Allgemeine Beschreibung

One of the standout features of the HMC349ALP4CE is its low insertion loss of just 1.4 dB, ensuring minimal signal degradation. The device also boasts excellent linearity, guaranteeing accurate and reliable performance in demanding environments. With a fast switching speed of 900 ns, users can quickly adjust attenuation levels to meet changing requirements

Hauptmerkmale

Nonreflective, 50 Ω design
High isolation: 62 dB to 2 GHz
Low insertion loss: 1.0 dB to 2 GHz
High input linearity
- 1 dB power compression (P1dB): 34 dBm (typical)
- Third-order intercept (IP3): 53 dBm (typical)
High power handling
- 33.5 dBm through path, V_DD = 5 V
- 26.5 dBm terminated path

Anwendung

Wireless infrastructure
Mobile radios
Test equipment

Spezifikationen

RF Type	General Purpose	Topology	Absorptive
Circuit	SPDT	Frequency Range	0Hz ~ 4GHz
Isolation	62dB	Insertion Loss	1.4dB
Test Frequency	4GHz	P1dB	34dBm
Impedance	50Ohm	Voltage - Supply	4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	HMC349

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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