Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Privacy Policy.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPA60R380E6 +BOM

MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPA60R380E6
Datenblatt:

IPA60R380E6 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Not Recommended
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPA60R380E6

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IPA60R380E6 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Hauptmerkmale

Extremely low losses due to very low FOM RdsonQg and Eoss
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20
and JESD22)

Spezifikationen

Source Content uid	IPA60R380E6	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Not Recommended	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	52 Weeks	Avalanche Energy Rating (Eas)	210 mJ
Case Connection	ISOLATED	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	600 V	Drain Current-Max (ID)	10.6 A
Drain-source On Resistance-Max	0.38 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	31 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	30 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Product Category	MOSFET
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V	Id - Continuous Drain Current	10.6 A
Rds On - Drain-Source Resistance	380 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.5 V	Qg - Gate Charge	32 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	31 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	CoolMOS	Series	CoolMOS E6
Fall Time	8 nS	Height	16.15 mm
Length	10.65 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	9 nS	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	56 nS	Width	4.85 mm
Part # Aliases	SP000795300 IPA6R38E6XK IPA60R380E6XKSA1	Unit Weight	0.068784 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..