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Siehe Technische Spezifikationen

IPP80N06S4L-07 +BOM

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS-T2

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IPP80N06S4L-07
Datenblatt:

IPP80N06S4L-07 Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

320.0 A
RthJC Max:

1.9 K/W
Ptot Max:

79.0 W
VDS Max:

60.0 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPP80N06S4L-07

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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IPP80N06S4L-07 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

N-channel - Enhancement mode
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
Benefits
world's lowest RDS at 60V (on)
highest current capability
lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
robust packages with superior quality and reliability
Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Valves control
Solenoids control
Lighting
Single-ended motors

Spezifikationen

IDpuls max	320.0 A	RthJC max	1.9 K/W
Ptot max	79.0 W	VDS max	60.0 V
VGS(th) min	1.2 V	Polarity	N
RDS (on) max	6.4 mΩ	VGS(th) max	2.0 V
QG max	58.0 nC	ID max	80.0 A
Operating Temperature max	175.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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