Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Privacy Policy.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

K4B2G0846D-HCK0 +BOM

DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78

Hersteller:

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Herstellerteil #:

K4B2G0846D-HCK0
Datenblatt:

K4B2G0846D-HCK0 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.36
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K4B2G0846D-HCK0

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

The 2Gb DDR3 SDRAM D-die is organized as a 64Mbit x 4 I/Os x 8banks, 32Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin (DDR3-1600) for general applications. The chip is designed to comply with the following key DDR3 SDRAM features such as posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, On Die Termination using ODT pin and Asynchronous Reset .

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.36
Access Mode	MULTI BANK PAGE BURST	Access Time-Max	0.225 ns
Additional Feature	AUTO/SELF REFRESH	Clock Frequency-Max (fCLK)	800 MHz
I/O Type	COMMON	Interleaved Burst Length	8
JESD-30 Code	R-PBGA-B78	Length	11 mm
Memory Density	2147483648 bit	Memory IC Type	DDR3 DRAM
Memory Width	8	Number of Functions	1
Number of Ports	1	Number of Terminals	78
Number of Words	268435456 words	Number of Words Code	256000000
Operating Mode	SYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min		Organization	256MX8
Output Characteristics	3-STATE	Power Supplies	1.5 V
Qualification Status	Not Qualified	Refresh Cycles	8192
Seated Height-Max	1.2 mm	Self Refresh	YES
Sequential Burst Length	8	Standby Current-Max	0.012 A
Supply Current-Max	0.14 mA	Supply Voltage-Max (Vsup)	1.575 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.425 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.5 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	OTHER	Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm	Terminal Position	BOTTOM
Width	7.5 mm

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..