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QH8KB6TCR +BOM

Mosfet Array 40V 8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

QH8KB6TCR
Datenblatt:

QH8KB6TCR Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

8A (Ta)
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QH8KB6TCR Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 40V 8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays	Series	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	-	Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Ta)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	530pF @ 20V	Power - Max	1.1W (Ta)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	QH8KB6	Product Category:	MOSFET
Technology:	Si	Mounting Style:	SMD/SMT
Transistor Polarity:	N-Channel	Number of Channels:	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V	Id - Continuous Drain Current:	8 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	17.7 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V	Qg - Gate Charge:	10.6 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	1.5 W	Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	MouseReel	Configuration:	Dual
Fall Time:	4.5 ns	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	6.2 ns	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	MOSFETs	Typical Turn-Off Delay Time:	21 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8.5 ns	Part # Aliases:	QH8KB6

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