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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI3456CDV-T1-E3 +BOM

Trans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin TSOP T/R

Hersteller:

Vishay Siliconix
Herstellerteil #:

SI3456CDV-T1-E3
Datenblatt:

SI3456CDV-T1-E3 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelle:

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SI3456CDV-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 7.7A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Spezifikationen

Series	TrenchFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.7A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34mOhm @ 6.1A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	460 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 3.3W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SI3456

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