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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

1ED020I12-F2 +BOM

With its reliable performance and compact design, the 1ED020I12-F2 is an essential component for power electronics systems

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

1ED020I12-F2
Datenblatt:

1ED020I12-F2 Datenblatt (PDF)
Input Vcc Max:

5.5 V
Input Vcc Min:

4.5 V
Configuration:

High-side
Isolation Type:

Galvanic isolation - Functional
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 1ED020I12-F2

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

1ED020I12-F2 Allgemeine Beschreibung

In summary, the 1ED020I12-F2 diode module encapsulates the qualities of reliability, high performance, and adaptability, making it a top contender in the realm of power electronics. Its ability to deliver efficient power handling, fast switching speeds, and thermal management sets it apart as a valuable component for modern power systems. Whether in industrial machinery or consumer electronics, this diode module proves to be a dependable and versatile solution for various power applications

Hauptmerkmale

Input voltage range of 4.5V to 20V
Output current of 2A source and 3A sink
Wide operating temperature range of -40°C to 125°C
Built-in dead-time generation to prevent cross-conduction
Integrated bootstrap diode for high-side driving
Under-voltage lockout protection for both channels

Anwendung

IR2301S from Infineon
MCP14E10 from Microchip
TLP250 from Toshiba
MAX5059BASA+ from Maxim Integrated

Spezifikationen

Input Vcc max	5.5 V	Input Vcc min	4.5 V
Configuration	High-side	Isolation Type	Galvanic isolation - Functional

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