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Siehe Technische Spezifikationen

1EDC20H12AH +BOM

Isolated gate driver for power electronics

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

1EDC20H12AH
Datenblatt:

1EDC20H12AH Datenblatt (PDF)
Input Vcc Max:

17.0 V
Input Vcc Min:

3.1 V
Configuration:

High-side
Isolation Type:

Galvanic isolation - Functional
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 1EDC20H12AH

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

1EDC20H12AH Allgemeine Beschreibung

EiceDRIVER™ 1200 V high-side gate driver IC with typical 4.0 A source and 3.5 A sink currents in in a wide-body DSO-8 package with CT technology for IGBT Modules.For higher isolation rating, higher current, shorter propagation delay, check out our newly released X3 Compact family, 1ED3120MU12H. The DSO-8 150 mil narrow body version with great price performance ratio is also available: 1EDI20N12AF

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Recognized under UL1577 with V ISO = 3000 V for 1 s
1200V coreless Transformer isolated Driver ICs
2 A rail-to-rail outputs
300 mil wide-body package for 8 mm creepage distance
Separate source/sink outputs

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Motor control and drives
Solutions for solar energy systems
Power supplies (SMPS)
Automotive

Spezifikationen

Input Vcc max	17.0 V	Input Vcc min	3.1 V
Configuration	High-side	Isolation Type	Galvanic isolation - Functional

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