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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

1EDC20I12MH +BOM

Gate drive integrated circuits in DSO-8 packaging, compliant with ROHS standards."

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

1EDC20I12MH
Datenblatt:

1EDC20I12MH Datenblatt (PDF)
Input Vcc Max:

17.0 V
Input Vcc Min:

3.1 V
Configuration:

High-side
Isolation Type:

Galvanic isolation - Functional
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 1EDC20I12MH

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

1EDC20I12MH Allgemeine Beschreibung

EiceDRIVER™ presents the 1EDC20I12MH gate driver IC, a high-side driver with outstanding 1200 V capability and typical source and sink currents of 4.4 A and 4.1 A in a DSO-8 package. With UL certified galvanic isolation, an active Miller clamp, and short-circuit clamping for IGBT Modules, this device offers reliable performance. For advanced features such as higher isolation ratings and shorter propagation delays, explore our X3 Compact family, specifically the 1ED3122MU12H. For a cost-effective option, consider the 1EDI20I12MF DSO-8 150 mil narrow body version

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Recognized under UL1577 with V ISO = 3000 V for 1 s
1200V coreless Transformer isolated Driver ICs
2 A rail-to-rail outputs
300 mil wide-body package for 8 mm creepage distance
Active Miller clamp

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Motor control and drives
Solutions for solar energy systems
Power supplies (SMPS)
Automotive

Spezifikationen

Input Vcc max	17.0 V	Input Vcc min	3.1 V
Configuration	High-side	Isolation Type	Galvanic isolation - Functional

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