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Siehe Technische Spezifikationen

1EDC60H12AH +BOM

DSO-8 ROHS Gate Drive ICs

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

1EDC60H12AH
Datenblatt:

1EDC60H12AH Datenblatt (PDF)
Input Vcc Max:

17.0 V
Input Vcc Min:

3.1 V
Configuration:

High-side
Isolation Type:

Galvanic isolation - Functional
EDA/CAD Modelle:

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Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

1EDC60H12AH Allgemeine Beschreibung

The 1EDC60H12AH is a high-side single channel gate driver IC designed for IGBT modules, offering a high voltage rating of 1200 V with a typical 10.0 A source and 9.4 A sink currents. The wide-body package with CT technology ensures reliable performance and easy integration into existing systems. For even higher isolation rating, higher current, and shorter propagation delay, consider our newly released X3 Compact family, specifically the 1ED3124MU12H. Additionally, we also offer the DSO-8 150mil narrow body version, 1EDI60N12AF, which provides a great price performance ratio for those seeking a cost-effective solution

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Recognized under UL1577 with V ISO = 3000 V for 1 s
1200V coreless Transformer isolated Driver ICs
6 A rail-to-rail outputs
300 mil wide-body package for 8 mm creepage distance
Separate source/sink outputs

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Motor control and drives
Solutions for solar energy systems
Power supplies (SMPS)
Automotive

Spezifikationen

Input Vcc max	17.0 V	Input Vcc min	3.1 V
Configuration	High-side	Isolation Type	Galvanic isolation - Functional

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Bewertungen und Rezensionen

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A**n 12.31.2021

The HDR-60-48 electronic components I bought from Avaq are definitely worth every penny. They are authentic, brand new, and function perfectly. Avaq never disappoints in terms of quality!

B**y 08.01.2021

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A**n 06.06.2020

The order came on time. Thank you to the seller.