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Siehe Technische Spezifikationen

1EDC60I12AH +BOM

DSO-8 ICs ROHS Gate Drive

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

1EDC60I12AH
Datenblatt:

1EDC60I12AH Datenblatt (PDF)
Input Vcc Max:

17.0 V
Input Vcc Min:

3.1 V
Configuration:

High-side
Isolation Type:

Galvanic isolation - Functional
EDA/CAD Modelle:

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Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

1EDC60I12AH Allgemeine Beschreibung

Elevate your high-side gate driving requirements with the 1EDC60I12AH from EiceDRIVER™. This industry-leading 1200 V gate driver IC boasts a robust 10.0 A source current and 9.5 A sink current, delivering exceptional performance for IGBT modules. Experience seamless integration and enhanced efficiency thanks to the wide-body DSO-8 package and CT technology. For applications demanding superior isolation, higher current output, and minimal delay, explore our latest innovation, the 1ED3124MU12H from the X3 Compact family. Alternatively, optimize your budget with the 1EDI60I12AF, a cost-effective DSO-8 150mil narrow body version offering reliable functionality at a competitive price

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Input Vcc max	17.0 V	Input Vcc min	3.1 V
Configuration	High-side	Isolation Type	Galvanic isolation - Functional

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Bewertungen und Rezensionen

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L**m 07.15.2023

Fast delivery to the house. Not all capacitors have good quality-470mkfh16v on average showed 320 uf, 2.5 percent of losses... but for this money it is acceptable for me ..

L**r 01.26.2023

very good company, hope we can do more business

H**n 04.26.2021

Thank you! Delivery to st. petersburg 13 days! I didn't check!