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Siehe Technische Spezifikationen

1EDI60I12AHXUMA1 +BOM

Advanced insulated gate bipolar transistor (IGBT) technology ensures reliable performance

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

1EDI60I12AHXUMA1
Datenblatt:

1EDI60I12AHXUMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

EiceDriver™
Technology:

Magnetic Coupling
Number Of Channels:

1
Rise / Fall Time (Typ):

10ns, 9ns
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 1EDI60I12AHXUMA1

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

1EDI60I12AHXUMA1 Allgemeine Beschreibung

EiceDRIVER1200 V high-side gate driver IC with typical 10.0 A source and 9.4 A sink current in a wide-body DSO-8 package with CT technology for IGBT Modules. For higher isolation rating, higher current, shorter propagation delay, check out our newly released X3 Compact family, 1ED3124MU12H. The DSO-8 150 mil narrow body version with great price performance ratio is also available: 1EDI60I12AF

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

1200V coreless Transformer isolated Driver ICs
6 A rail-to-rail outputs
300 mil wide-body package for 8 mm creepage distance
Separate sink/source outputs

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

AC-DC power supplies
Industrial heating and welding
Motor control and drives
Solutions for photovoltaic energy systems

Spezifikationen

Category	IsolatorsIsolators - Gate Drivers	Series	EiceDriver™
Technology	Magnetic Coupling	Number of Channels	1
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max)	-	Pulse Width Distortion (Max)	-
Rise / Fall Time (Typ)	10ns, 9ns	Current - Peak Output	-
Voltage - Forward (Vf) (Typ)	-	Voltage - Output Supply	13V ~ 35V
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	1EDI60	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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