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Siehe Technische Spezifikationen

1N4150-1 +BOM

Diode Small Signal Switching 75V 200mA 2-Pin DO-35 - Bulk

Hersteller:

Microchip Technology
Herstellerteil #:

1N4150-1
Datenblatt:

1N4150-1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

50 V
Current - Average Rectified (Io):

200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:

1 V @ 200 mA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 1N4150-1

1N4150-1 Allgemeine Beschreibung

The 1N4150-1 is a versatile high-speed switching diode that is perfect for a wide range of applications. With its small footprint and excellent environmental protection, it is an ideal choice for compact circuit designs. Its fast switching time and low reverse recovery time make it well-suited for high-frequency applications, such as RF circuits, mixers, and detectors. Additionally, its 250mA continuous forward current rating and 40V reverse breakdown voltage make it suitable for low power applications and general rectification purposes. Whether you need a diode for signal processing or as a protection diode in circuits, the 1N4150-1 is a reliable and efficient choice

Spezifikationen

Technology	Standard	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	50 V
Current - Average Rectified (Io)	200mA	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1 V @ 200 mA
Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	Reverse Recovery Time (trr)	4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	100 nA @ 50 V	Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature - Junction	-65°C ~ 175°C	Base Product Number	1N4150

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