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Siehe Technische Spezifikationen

1N5227B +BOM

Single 3.42V~3.78V 500mW 3.6V DO-35 Zener Diodes ROHS

Hersteller:

NTE Electronics, Inc
Herstellerteil #:

1N5227B
Datenblatt:

1N5227B Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

017AG
MSL Type:

NA
MSL Temp (°C):

0
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 1N5227B

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

1N5227B Allgemeine Beschreibung

General Data Applicable to all series in this group.
500 Milliwatt
Hermetically Sealed
Glass Silicon Zener Diodes

Hauptmerkmale

Complete Voltage Range - 1.8 to 200 Volts
2% and 5% tolerances available
DO-204AH Package - Smaller than Conventional DO-204AA Package
Double Slug Type Construction
Metallurgically Bonded Construction

Mechanical Characteristics:
CASE: Double slug type, hermetically sealed glass
MAXIMUM LEAD TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES: 230?C, 1/16", from case for 10 seconds
FINISH: All external surfaces are corrosion resistant with readily solderable leads
POLARITY: Cathode indicated by color band. When operated in zener mode, cathode will be positive with respect to anode
MOUNTING POSITION: Any
WAFER FAB LOCATION: Phoenix, Arizona
ASSEMBLY/TEST LOCATION: Seoul, Korea

Anwendung

Voltage Regulation
Waveform Clipping
MOSFET Gate Protection

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	017AG	MSL Type	NA
MSL Temp (°C)	0	Container Type	BLKBG
Container Qty.	5000	ON Target	N
VZ Typ (V)	3.6	P Max (W)	0.5
Pricing ($/Unit)	$0.0153Sample

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