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1N8035-GA +BOM
Diode 650 V 14.6A Surface Mount TO-276
TO-276AA-
Hersteller:
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Herstellerteil #:
1N8035-GA
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Datenblatt:
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Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
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Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
650 V
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Current - Average Rectified (Io):
14.6A
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Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.5 V @ 15 A
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 8781 Stck
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1N8035-GA Allgemeine Beschreibung
Diode 650 V 14.6A Surface Mount TO-276
Spezifikationen
Series | - | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | Current - Average Rectified (Io) | 14.6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 15 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 650 V |
Capacitance @ Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 250°C | Base Product Number | 1N8035 |
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In Stock: 8.781
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