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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N6075B +BOM

Triac 4A 600V Thyristor

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

2N6075B
Datenblatt:

2N6075B Datenblatt (PDF)
Non Repetitive On-State Current:

30 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:

600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:

10 uA
On-State Voltage:

2 V
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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Hauptmerkmale

Sensitive Gate Triggering Uniquely Compatible for Direct Coupling to TTL, HTL, CMOS and Operational Amplifier Integrated Circuit Logic Functions
Gate Triggering: 4 Mode − 2N6071A, B; 2N6073A, B; 2N6075A, B
Blocking Voltages to 600 V
All Diffused and Glass Passivated Junctions for Greater Parameter Uniformity and Stability
Small, Rugged, Thermopad Construction for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation and Durability
Device Marking: Device Type, e.g., 2N6071A, Date Code

Spezifikationen

Product Category	Triacs	Non Repetitive On-State Current	30 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM	600 V	Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM	10 uA
On-State Voltage	2 V	Holding Current Ih Max	15 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt	2.5 V	Gate Trigger Current - Igt	5 mA
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 110 C
Mounting Style	Through Hole	Product Type	Triacs
Subcategory	Thyristors	Unit Weight	0.068784 oz

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