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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N6401 +BOM

2N6401 Silicon Controlled Rectifier

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

2N6401
Datenblatt:

2N6401 Datenblatt (PDF)
Breakover Current IBO Max:

160 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:

100 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:

10 uA
Vf - Forward Voltage:

1.7 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6401

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2N6401 Allgemeine Beschreibung

SCR 100 V 16 A Standard Recovery Through Hole TO-220AB

Hauptmerkmale

Highly reliable operation guaranteed
Sufficient power handling for demanding applications
Limited thermal shutdown ensured
Excellent noise and vibration tolerance achieved

Anwendung

Motors control
Temperature controllers
Switching regulators

Spezifikationen

Product Category	SCRs	Breakover Current IBO Max	160 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM	100 V	Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM	10 uA
Vf - Forward Voltage	1.7 V	Gate Trigger Voltage - Vgt	1.5 V
Gate Trigger Current - Igt	30 mA	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 125 C	Mounting Style	Through Hole
Current Rating	10 A	Height	9.28 mm
Holding Current Ih Max	40 mA	Length	10.28 mm
Non Repetitive On-State Current	160 A	Product Type	SCRs
Factory Pack Quantity	500	Subcategory	Thyristors
Type	SCR	Width	4.82 mm
Unit Weight	0.211644 oz

Servicerichtlinien und andere

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