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JFET JFET N-Channel -300V Low Ciss
TO-39-3Hersteller:
Herstellerteil #:
2N6449
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
N-Channel
Configuration:
Single
EDA/CAD Modelle:
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Product Category | JFET | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | N-Channel |
Configuration | Single | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 300 V | Gate-Source Cutoff Voltage | - 15 V |
Drain-Source Current at Vgs=0 | 10 mA | Id - Continuous Drain Current | 4 nA |
Pd - Power Dissipation | 800 mW | Series | 2N6449 |
Forward Transconductance - Min | 0.5 mS | Product Type | JFETs |
Factory Pack Quantity | 1 | Subcategory | Transistors |
Type | JFET |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
Alle Stücklisten (BOM) können per E-Mail gesendet werden an
[email protected],
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12 Std.
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<p>This N-Channel JFET device is designed for high frequency amplifiers and oscillators.</p>
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