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Siehe Technische Spezifikationen

2SD315AI +BOM

2SD315AI MOSFET driver featuring 18A output, two outputs, and a 44-pin structure

Hersteller:

Power Integrations
Herstellerteil #:

2SD315AI
Datenblatt:

2SD315AI Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT, MOSFET Gate Drivers
Type:

Half-Bridge
Mounting Style:

Through Hole
Number Of Drivers:

2 Driver
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SD315AI

2SD315AI Allgemeine Beschreibung

Ideal for general-purpose amplifier circuits, the 2SD315AI transistor offers a DC current gain range of 120 to 400, providing flexibility in design. Its power dissipation of 300mW and transition frequency of 260MHz make it a reliable choice for high-frequency applications where stability and performance are key

Hauptmerkmale

Pulse-width modulation controller module
Digital signal processor device
New design high-frequency driver chip
Fine-tune data transmission component
Audio frequency processing unit module
High-speed digital interface component

Anwendung

Communication systems
Lighting applications
Control systems

Spezifikationen

Product Category	Gate Drivers	Product	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Type	Half-Bridge	Mounting Style	Through Hole
Number of Drivers	2 Driver	Number of Outputs	2 Output
Output Current	15 A	Supply Voltage - Min	16 V
Supply Voltage - Max	14 V	Configuration	Inverting
Rise Time	160 ns	Fall Time	130 ns
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Series	2SD315	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV/1.7 kV
Product Type	Gate Drivers	Factory Pack Quantity	12
Subcategory	PMIC - Power Management ICs	Tradename	Scale-1
Unit Weight	3.291678 oz

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