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Siehe Technische Spezifikationen

2SK2009 +BOM

Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

2SK2009
Datenblatt:

2SK2009 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

200mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SK2009

2SK2009 Allgemeine Beschreibung

Application Scope:High-Speed Switching / Analog Switches
Polarity:N-ch
Internal Connection:Single
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:Japan

Hauptmerkmale

Assembly bases:1.5 V
Assembly bases:2.0 Ω
Assembly bases:70 pF

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 50MA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	70 pF @ 3 V	FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	200mW (Ta)	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	2SK2009

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Bewertungen und Rezensionen

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L**a 09.19.2022

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