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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2SK2312(F) +BOM

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

2SK2312(F)
Datenblatt:

2SK2312(F) Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Automotive:

No
PPAP:

No
Material:

Si
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SK2312(F)

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen 2SK2312(F)-Treiber von Toshiba an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung 2SK2312(F).

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
Automotive	No	PPAP	No
Category	Power MOSFET	Material	Si
Configuration	Single	Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N	Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	60	Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Continuous Drain Current (A)	45	Maximum Drain Source Resistance (MOhm)	17@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	110@10V	Typical Gate Charge @ 10V (nC)	110
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	3350@10V	Maximum Power Dissipation (mW)	45000
Typical Fall Time (ns)	60	Typical Rise Time (ns)	25
Minimum Operating Temperature (°C)	-55	Maximum Operating Temperature (°C)	150
Mounting	Through Hole	PCB changed	3
Tab	Tab	Pin Count	3
Lead Shape	Through Hole

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