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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

6ED003L06-F2 +BOM

High-power MOSFET driver for demanding applicatio

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

6ED003L06-F2
Datenblatt:

6ED003L06-F2 Datenblatt (PDF)
Input Vcc Max:

17.5 V
Input Vcc Min:

13.0 V
Configuration:

Three Phase
Isolation Type:

Functional levelshift
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 6ED003L06-F2

6ED003L06-F2 Allgemeine Beschreibung

In summary, the 6ED003L06-F2 is a high-performance gate driver IC designed to meet the demanding requirements of modern power electronics systems. With its compact form factor, high source and sink currents, and 600 V rating, this driver IC offers a reliable and efficient solution for driving MOS-transistors and IGBTs in three-phase applications. Its EiceDRIVER™ technology ensures precise and responsive control, helping to optimize system performance and reliability. Whether used in motor drives, renewable energy systems, or industrial automation, the 6ED003L06-F2 delivers the performance and versatility required for today's demanding applications

Hauptmerkmale

This device has advanced security features
real-time monitoring and alerts
easy setup and customization
integration with popular software

Anwendung

Enhancing your home
Industrial strength
Reliable performance
Energy-saving options
Advanced technology

Spezifikationen

Input Vcc max	17.5 V	Input Vcc min	13.0 V
Configuration	Three Phase	Isolation Type	Functional levelshift

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