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Siehe Technische Spezifikationen

A3I35D025WNR1 +BOM

Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 3.4 W Avg., 28 V

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

A3I35D025WNR1
Datenblatt:

A3I35D025WNR1 Datenblatt (PDF)
Frequency:

3.2GHz ~ 4GHz
P1dB:

42.6dBm
Gain:

30.5dB
RF Type:

General Purpose

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

A3I35D025WNR1 Allgemeine Beschreibung

RF Amplifier IC General Purpose 3.2GHz ~ 4GHz TO-270WB-17

Hauptmerkmale

Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 3.4 W Avg., 28 V

Spezifikationen

Category	RF and WirelessRF Amplifiers	Series	-
Frequency	3.2GHz ~ 4GHz	P1dB	42.6dBm
Gain	30.5dB	Noise Figure	-
RF Type	General Purpose	Voltage - Supply	28V
Current - Supply	-	Test Frequency	3.8GHz ~ 4GHz
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	A3I35
Product Category	RF Amplifier	Mounting Style	SMD/SMT
Type	Power Amplifiers	Technology	Si
Operating Frequency	3.2 GHz to 4 GHz	Operating Supply Voltage	28 V
Operating Supply Current	260 mA	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Moisture Sensitive	Yes
Number of Channels	2 Channel	Product Type	RF Amplifier
Factory Pack Quantity	500	Subcategory	Wireless & RF Integrated Circuits
Part # Aliases	935373852528	Unit Weight	0.015923 oz

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Bewertungen und Rezensionen

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