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Siehe Technische Spezifikationen

AIKB15N65DH5ATMA1 +BOM

High-power switching for demanding application

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

AIKB15N65DH5ATMA1
Datenblatt:

AIKB15N65DH5ATMA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an AIKB15N65DH5ATMA1

AIKB15N65DH5ATMA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT NPT 650 V 15 A Surface Mount PG-TO263-3-2

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	30 A
Pd - Power Dissipation	105 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	Trenchstop IGBT5 H5
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	IGBTs	Tradename	TRENCHSTOP
Part # Aliases	AIKB15N65DH5 SP001686016

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