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Siehe Technische Spezifikationen

APTLGF300A1208G +BOM

IGBT Modules Power Module - IGBT

Hersteller:

Microchip Technology, Inc
Herstellerteil #:

APTLGF300A1208G
Datenblatt:

APTLGF300A1208G Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT Silicon Modules
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:

3.2 V

APTLGF300A1208G Allgemeine Beschreibung

Power Driver Module IGBT Half Bridge 1.2 kV 400 A 6-PowerSIP Module

Microchip Technology, Inc Originalbestand

Spezifikationen

Product Category:	IGBT Modules	Product:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Dual	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	3.2 V	Continuous Collector Current at 25 C:	400 A
Pd - Power Dissipation:	1.78 kW	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 85 C	Mounting Style:	Chassis Mount
Product Type:	IGBT Modules	Factory Pack Quantity:	50
Subcategory:	IGBTs	Technology:	Si

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