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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ARF463BP1G +BOM

500V RF MOSFET.

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

ARF463BP1G
Datenblatt:

ARF463BP1G Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

TO-247-3
Produktart:

RF MOSFET Transistors
Lebenszyklus:

Active
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ARF463BP1G

ARF463BP1G Allgemeine Beschreibung

The ARF family of RF powerMOSFETs is optimized for applications requiring frequencies as high as 150 MHzand operating voltages as high as 400V. Historically, RF power MOSFETs werelimited to applications of 50V or less. This limitation has been removed bycombining Microchip’s high-voltage MOSFET technology with RF-specific diegeometries.

TheDRF1300 and DRF1301 have two independent channels, each containing a driver andRF MOSFET in a push-pull configuration. The DRF1400 is a half-bridge hybridwith symmetrically oriented leads that can be easily configured into a full-bridgeconverter. All DRF parts feature a proprietary anti-ringfunction to eliminate cross conduction in bridge or push-pull topologies. AllDRF parts can be externally selected in either an inverting or non-invertingconfiguration.

Hauptmerkmale

Semi-Cap (6, 13, 27, 40MHz)
Industrial Glass (6, 13, 27, 40MHz)
PV Cells (6, 13, 27, 40MHz)
Flat Panel Displays (6, 13, 27, 40MHz)
Mass Spectrometry (13, 27MHz)
Dielectric Heating (2 to 40MHz)
Machine Tools (6, 13, 27MHz)
Drilling (6, 13, 27MHz)
Marking (13, 27, 40, 81, 108MHz)
Cutting (6, 13, 27MHz)
MRI (8 to 36, 64, 128 300MHz)
Laser Scalpel (13, 27, 40, 81, 108MHz)
Diathermy/Hyperthermia (8MHz)
Chemical Analysis (13, 27MHz)
Marine Radio (2 to 40MHz)
HF Radio (2 to 40MHz)
FM Broadcast (87 to 108MHz)

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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