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Siehe Technische Spezifikationen

AS1C2M16P-70BIN +BOM

High-speed, low-power memory solution for data-intensive applications

Hersteller:

Alliance Memory
Herstellerteil #:

AS1C2M16P-70BIN
Datenblatt:

AS1C2M16P-70BIN Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

PSRAM
Technology:

PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Size:

32Mbit
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an AS1C2M16P-70BIN

AS1C2M16P-70BIN Allgemeine Beschreibung

PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 32Mbit Parallel 70 ns 48-FBGA (6x7)

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Volatile	Memory Format	PSRAM
Technology	PSRAM (Pseudo SRAM)	Memory Size	32Mbit
Memory Organization	2M x 16	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	70ns	Access Time	70 ns
Voltage - Supply	2.6V ~ 3.3V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	AS1C2M16
Product Category:	SRAM	Memory Size:	32 Mbit
Organization:	2 M x 16	Access Time:	70 ns
Maximum Clock Frequency:	-	Interface Type:	Parallel
Supply Voltage - Max:	3.3 V	Supply Voltage - Min:	2.6 V
Supply Current - Max:	25 mA	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 85 C	Mounting Style:	SMD/SMT
Packaging:	Tray	Memory Type:	SRAM
Moisture Sensitive:	Yes	Product Type:	SRAM
Series:	AS1C2M16P-70	Factory Pack Quantity:	364
Subcategory:	Memory & Data Storage	Type:	Asynchronous
Unit Weight:	0.068412 oz

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