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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

AS4C256M16MD4V-062BAN +BOM

High-performance memory solution for mobile devices with bit capacit

Hersteller:

Alliance Memory, Inc.
Herstellerteil #:

AS4C256M16MD4V-062BAN
Datenblatt:

AS4C256M16MD4V-062BAN Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q100
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

DRAM
Technology:

SDRAM - Mobile LPDDR4X
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an AS4C256M16MD4V-062BAN

AS4C256M16MD4V-062BAN Allgemeine Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR4X Memory IC 2Gbit LVSTL 1.6 GHz 3.5 ns 200-FBGA (10x14.5)

Spezifikationen

Series	Automotive, AEC-Q100	Memory Type	Volatile
Memory Format	DRAM	Technology	SDRAM - Mobile LPDDR4X
Memory Size	2Gbit	Memory Organization	128M x 16
Memory Interface	LVSTL	Clock Frequency	1.6 GHz
Write Cycle Time - Word, Page	18ns	Access Time	3.5 ns
Voltage - Supply	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	Operating Temperature	-40°C ~ 105°C (TC)
Mounting Type	Surface Mount

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