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Siehe Technische Spezifikationen

AS4C4M16SA-6TAN +BOM

High-capacity memory solution for automotive application

Hersteller:

Alliance Memory
Herstellerteil #:

AS4C4M16SA-6TAN
Datenblatt:

AS4C4M16SA-6TAN Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q100
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

DRAM
Technology:

SDRAM
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an AS4C4M16SA-6TAN

AS4C4M16SA-6TAN Allgemeine Beschreibung

SDRAM Memory IC 64Mbit Parallel 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	Automotive, AEC-Q100
Memory Type	Volatile	Memory Format	DRAM
Technology	SDRAM	Memory Size	64Mbit
Memory Organization	4M x 16	Memory Interface	Parallel
Clock Frequency	166 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	2ns
Access Time	5.4 ns	Voltage - Supply	3V ~ 3.6V
Operating Temperature	-40°C ~ 105°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	AS4C4M16	Product Category:	DRAM
Type:	SDRAM	Mounting Style:	SMD/SMT
Data Bus Width:	16 bit	Organization:	4 M x 16
Memory Size:	64 Mbit	Maximum Clock Frequency:	166 MHz
Access Time:	5.4 ns	Supply Voltage - Max:	3.6 V
Supply Voltage - Min:	3 V	Supply Current - Max:	50 mA
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 105 C
Series:	AS4C4M16SA	Packaging:	Tray
Moisture Sensitive:	Yes	Product Type:	DRAM
Factory Pack Quantity:	108	Subcategory:	Memory & Data Storage
Unit Weight:	0.321057 oz

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