Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

AS6C1008-55TIN +BOM

V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32-Pin TSOP-I

Hersteller:

Alliance Memory
Herstellerteil #:

AS6C1008-55TIN
Datenblatt:

AS6C1008-55TIN Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Asynchronous
Memory Size:

1Mbit
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an AS6C1008-55TIN

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

AS6C1008-55TIN Allgemeine Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mbit Parallel 55 ns 32-TSOP I

Hauptmerkmale

Access time - 55ns
Low power consumption
Fully compatible with all competitors 3.3/5V
Fully static operation
Tri-state output
Data retention voltage - 1.5V

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Asynchronous	Memory Size	1Mbit
Memory Organization	128K x 8	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	55ns	Access Time	55 ns
Voltage - Supply	2.7V ~ 5.5V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	AS6C1008

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..