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Siehe Technische Spezifikationen

AS7C4096A-12TIN +BOM

SRAM 4M,5V, 12ns, FAST 512K x 8 Asynch SRAM

Hersteller:

Alliance Memory
Herstellerteil #:

AS7C4096A-12TIN
Datenblatt:

AS7C4096A-12TIN Datenblatt (PDF)
Memory Size:

4 Mbit
Organization:

512 k x 8
Access Time:

12 ns
Interface Type:

Parallel
EDA/CAD Modelle:

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AS7C4096A-12TIN Allgemeine Beschreibung

The AS7C4096A-12TIN is a high-performance 4-megabit CMOS SRAM device designed for demanding computing and networking applications. With a speed grade of 12 nanoseconds, this memory device offers fast data access and processing capabilities. Its 32K x 8-bit configuration ensures efficient handling of data, making it ideal for use in high-speed systems. Operating on a single 5-volt power supply, the AS7C4096A-12TIN boasts a low standby current of 10mA, contributing to energy efficiency in electronic devices

Hauptmerkmale

Pin compatible to AS7C4096
Industrial and commercial temperature
Organization: 524,288 words × 8 bits
Center power and ground pins
High speed
- 10/12/15/20 ns address access time
- 5/6 ns output enable access time
Low power consumption: ACTIVE
- 880mW/max @ 10 ns
Low power consumption: STANDBY
- 55mW/max CMOS
Equal access and cycle times
Easy memory expansion with CE, OE inputs
TTL-compatible, three-state I/O
JEDEC standard packages
- 400 mil 36-pin SOJ
- 44-pin TSOP 2
ESD protection ≥ 2000 volts
Latch-up current ≥ 200 mA

Spezifikationen

Product Category	SRAM	Memory Size	4 Mbit
Organization	512 k x 8	Access Time	12 ns
Maximum Clock Frequency	-	Interface Type	Parallel
Supply Voltage - Max	5.5 V	Supply Voltage - Min	4.5 V
Supply Current - Max	140 mA	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Mounting Style	SMD/SMT
Memory Type	SDR	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	SRAM	Series	AS7C4096A-12
Factory Pack Quantity	135	Subcategory	Memory & Data Storage
Type	Asynchronous	Unit Weight	0.077179 oz

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