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Siehe Technische Spezifikationen

BAS16-V-GS08 +BOM

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, TO-236AB

Hersteller:

VISHAY
Herstellerteil #:

BAS16-V-GS08
Datenblatt:

BAS16-V-GS08 Datenblatt (PDF)
Product:

Switching Diodes
Mounting Style:

SMD/SMT
Peak Reverse Voltage:

75 V
Max Surge Current:

2 A
EDA/CAD Modelle:

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BAS16-V-GS08 Allgemeine Beschreibung

The BAS16-V-GS08 diode stands out for its exceptional performance characteristics, making it a preferred choice for engineers working on cutting-edge electronic projects. Its small signal design ensures precise control in switching applications, while the low forward voltage drop minimizes power dissipation. The diode's fast reverse recovery time of 6ns contributes to efficient operation, reducing delays in critical circuit functions. With a maximum junction temperature of 150°C and rugged SMD termination, this diode is well-suited for demanding environments where reliability is paramount

Hauptmerkmale

Silicon Epitaxial Planar Diode
Ultra fast switching speed
Surface mount package ideally suited for automatic insertion
High conductance
AEC-Q101 qualified
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

Spezifikationen

Product Category	Diodes - General Purpose, Power, Switching	Product	Switching Diodes
Mounting Style	SMD/SMT	Peak Reverse Voltage	75 V
Max Surge Current	2 A	If - Forward Current	150 mA
Configuration	Single	Recovery Time	6 ns
Vf - Forward Voltage	1.25 V	Ir - Reverse Current	1 uA
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	BASxx	Height	1.05 mm
Length	3.1 mm	Product Type	Diodes - General Purpose, Power, Switching
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Diodes & Rectifiers
Type	Switching Diode	Width	1.43 mm
Unit Weight	0.000282 oz

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