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Siehe Technische Spezifikationen

BAS16LT3G +BOM

Diode 100 V 200mA Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

BAS16LT3G
Datenblatt:

BAS16LT3G Datenblatt (PDF)
Technology:

Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

100 V
Current - Average Rectified (Io):

200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:

1.25 V @ 150 mA
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BAS16LT3G Allgemeine Beschreibung

The BAS16LT3G is a small signal diode with a maximum repetitive reverse voltage (Vrrm) of 75V. Its single diode configuration allows for efficient operation in various circuit designs. With a forward current (If AV) of 150mA and a maximum forward voltage (VF) of 1.25V, this diode is suitable for low power applications. The BAS16LT3G also features a fast reverse recovery time (trr) of 6ns, making it ideal for high frequency switching circuits. Its forward surge current (Ifsm) capability of 500mA ensures reliable performance during transient conditions

Hauptmerkmale

Suffix H for High Speed and Low Voltage Operation
Compliant with ISO 26262 for Functional Safety
AEC-Q101 Qualified with PPAP Capability
Rohs Compliant Lead-Free Package Available
Suitable for Railway and Aerospace Industries

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes	Series	-
Technology	Standard	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100 V
Current - Average Rectified (Io)	200mA	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25 V @ 150 mA
Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	Reverse Recovery Time (trr)	6 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	1 µA @ 100 V	Capacitance @ Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount	Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C
Base Product Number	BAS16

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