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Siehe Technische Spezifikationen

BAT54SWT1G +BOM

30V Dual 800mV@100mA 200mA SOT-323 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BAT54SWT1G
Datenblatt:

BAT54SWT1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

419-04
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

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BAT54SWT1G Allgemeine Beschreibung

The BAT54SWT1G is a dual Schottky diode array, which means it contains two individual Schottky diodes within a single package. These diodes are typically used for rectification and signal clamping applications in electronic circuits.

Hauptmerkmale

• Extremely Fast Switching Speed
• Low Forward Voltage − 0.35 Volts (Typ) @ IF = 10 mAdc
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Anwendung

Rectification: Used to convert alternating current (AC) into direct current (DC) in power supplies and rectifier circuits.
Voltage Clamping: Used to protect sensitive components by clamping voltage spikes and preventing them from exceeding safe levels.
Signal Clipping: Used in audio and video circuits to clip or limit signal amplitudes to prevent distortion.
High-Frequency Applications: Suitable for high-frequency switching applications in RF (Radio Frequency) circuits and high-speed digital circuits.
Voltage Level Shifting: Used to shift voltage levels in digital logic circuits and signal interfaces.
Protection Diodes: Employed as protection diodes to prevent reverse voltage damage in various electronic devices and circuits.

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	419-04
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

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