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Siehe Technische Spezifikationen

BBY66-02V +BOM

Hyperabrupt Silicon Diode, 12V Variable Capacitance, SC-79

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BBY66-02V
Datenblatt:

BBY66-02V Datenblatt (PDF)
IF Max:

50.0 mA
Configuration:

Single
CT / C T:

3.28 (1/4.5V)
VR Max:

12.0 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BBY66-02V Allgemeine Beschreibung

The Infineon Technologies BBY66-02V high-frequency, low-noise amplifier is a versatile and reliable device that caters to the demanding needs of wireless communication systems. Its broad frequency range of 50 MHz to 4 GHz ensures compatibility with a variety of communication technologies such as GSM, UMTS, LTE, and WLAN. With a noise figure of just 0.6 dB at 900 MHz, this amplifier guarantees crystal-clear signal quality, making it an excellent choice for sensitive applications

Hauptmerkmale

Low reverse leakage current
High reliability
High axial mechanical strength
Fast switching speed
Low thermal resistance

Anwendung

Flexible RF transmitter design
Innovative RF amplifier modules
Robust communication networks

Spezifikationen

IF max	50.0 mA	Configuration	Single
CT / C T	3.28 (1/4.5V)	VR max	12.0 V
Product Group	VCO and low voltage tuner

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