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Siehe Technische Spezifikationen

BGS18MA14E6327XTSA1 +BOM

Fast and Flexible Signal Routing Devi

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BGS18MA14E6327XTSA1
Datenblatt:

BGS18MA14E6327XTSA1 Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

yes
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BGS18MA14E6327XTSA1

BGS18MA14E6327XTSA1 Allgemeine Beschreibung

MIPI 2.0 SP8T switch for LTE Rx and Tx applications up to 3.8 GHz This SP8T RF switch is a perfect solution for multimode handsets based on LTE, WCDMA and TDCDMA. It is based on Infineon’s proprietary technology and has excellent RF performance. The ultra-low insertion loss helps customers to achieve high system sensitivity, the coverage of LTE Tx power and 3.8 GHz enables very broad application. It features DC-free RF ports, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally. Its on-chip MIPI RFFE 2.0 controller is fully compatible with industry standard.

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

0.1 to 3.8 GHz coverage for LTE application up to Band 43
LTE TX power handling capabilities
Ultra low insertion loss: 0.5 dB for Band 41 and 0.7 dB for Band 43
Small form factor 2.0mm x 2.0mm
Fully compatible with MIPI 2.0 RFFE standard
No decoupling capacitors required (Unless DC applied on RF lines)
Low harmonic generation
High port-to-port isolation
On-chip control logic including ESD protection
No power supply blocking required
High EMI robustness
RoHS and WEEE compliant package

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

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