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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BGX885N +BOM

860 MHz, 17 dB gain push-pull amplifier

Hersteller:

NXP SEMICONDUCTORS
Herstellerteil #:

BGX885N
Datenblatt:

BGX885N Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

not_compliant
Additional Feature:

LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BGX885N

Hauptmerkmale

Excellent linearity
Extremely low noise
Silicon nitride passivation
Rugged construction
Gold metallization ensures excellent reliability.

Spezifikationen

Source Content uid	BGX885N	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code	not_compliant
Additional Feature	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY	Characteristic Impedance	75 Ω
Construction	MODULE	Gain	17.3 dB
Operating Frequency-Max	860 MHz	Operating Frequency-Min	40 MHz
Operating Temperature-Max	100 °C	Operating Temperature-Min	-20 °C
Power Supplies	24 V	RF/Microwave Device Type	WIDE BAND MEDIUM POWER
Supply Current-Max	240 mA	Technology	HYBRID

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