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Siehe Technische Spezifikationen

BM63767S-VA +BOM

HSDIP25 design for efficient motor and ignition control

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

BM63767S-VA
Datenblatt:

BM63767S-VA Datenblatt (PDF)
Type:

IGBT
Configuration:

3 Phase Inverter
Current:

30 A
Voltage:

600 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BM63767S-VA Allgemeine Beschreibung

Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600 V 30 A 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm)

Hauptmerkmale

3phase DC/AC Inverter
600V/30A
Low Side IGBT Open Emitter
Built -in Bootstrap Diode
High Side IGBT Gate Driver(HVIC): SOI (Silicon On Insulator) Process, Drive Circuit, High Voltage Level Shifting, Current Limit for Bootstrap Diode, Control Supply Under-Voltage Locked Out (UVLO)
Low Side IGBT Gate Driver(LVIC): Drive Circuit, Short Circuit Current Protection (SCP), Control Supply Under Voltage Locked Out (UVLO), Thermal Shutdown (TSD)
Fault Signal(LVIC) Corresponding to SCP (Low Side IGBT), TSD, UVLO Fault
Input Interface 3.3V, 5V Line

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsPower Driver Modules	Series	-
Type	IGBT	Configuration	3 Phase Inverter
Current	30 A	Voltage	600 V
Voltage - Isolation	1500Vrms	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	BM63767

Servicerichtlinien und andere

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