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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BR24G04FVT-3GE2 +BOM

ROHS 4Kbit I2C TSSOP-8 EEPROM

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

BR24G04FVT-3GE2
Datenblatt:

BR24G04FVT-3GE2 Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

EEPROM
Technology:

EEPROM
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BR24G04FVT-3GE2

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BR24G04FVT-3GE2 Allgemeine Beschreibung

With features such as a write protect function, auto-erase capability, and a high endurance of up to 1 million write/erase cycles, the BR24G04FVT-3GE2 offers reliable and long-lasting performance. This makes it well-suited for demanding industrial and automotive applications where data integrity and durability are crucial

Hauptmerkmale

Completely conforming to the world standard I2C
BUS.
All controls available by 2 ports of serial clock
(SCL) and serial data (SDA)
Other devices than EEPROM can be connected to
the same port, saving microcontroller port
1.6V to 5.5V Single Power Source Operation most
suitable for battery use
1.6V to 5.5V wide limit of operating voltage, possible
FAST MODE 400kHz operation
Page Write Mode useful for initial value write at
factory shipment
Self-timed Programming Cycle
Low Current Consumption
Prevention of Write Mistake
➤ Write (Write Protect) Function added
➤ Prevention of Write Mistake at Low Voltage
More than 1 million write cycles
More than 40 years data retention
Noise filter built in SCL / SDA terminal
Initial delivery state FFh

Spezifikationen

Programmabe	Not Verified	Memory Type	Non-Volatile
Memory Format	EEPROM	Technology	EEPROM
Memory Size	4Kbit	Memory Organization	512 x 8
Memory Interface	I2C	Clock Frequency	400 kHz
Write Cycle Time - Word, Page	5ms	Voltage - Supply	1.6V ~ 5.5V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BR24G04

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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