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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSP75NHUMA1 +BOM

Smart SIPMOS technology power FET in PG-SOT223-4-4 package

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BSP75NHUMA1
Datenblatt:

BSP75NHUMA1 Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

no
Type:

Low Side
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSP75NHUMA1

BSP75NHUMA1 Allgemeine Beschreibung

The BSP75NHUMA1 is a versatile N channel vertical power FET that utilizes Smart SIPMOS technology to deliver reliable performance in a range of applications. With embedded protection functions, this FET is fully protected against various potential hazards, ensuring long-term durability and stability

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Rugged and reliable construction
Excellent temperature range
Low thermal impedance

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

RF signal processing
Servo motor drives
DC voltage regulators

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	no	Product Category	Power Switch ICs - Power Distribution
Type	Low Side	Number of Outputs	1 Output
Output Current	700 mA	Current Limit	1.5 A
On Resistance - Max	550 mOhms	On Time - Max	20 us
Off Time - Max	20 us	Operating Supply Voltage	-
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Series	HITFET
Qualification	AEC-Q100	Moisture Sensitive	Yes
Pd - Power Dissipation	1.8 W	Product	Power Switches
Product Type	Power Switch ICs - Power Distribution	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	Switch ICs	Supply Voltage - Max	10 V
Supply Voltage - Min	- 200 mV	Tradename	HITFET
Part # Aliases	BSP75N SP000305171	Unit Weight	0.003951 oz

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