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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BZX79-B12 +BOM

High-power Zener diode for demanding applications

Hersteller:

PHILIPS SEMICONDUCTORS
Herstellerteil #:

BZX79-B12
Datenblatt:

BZX79-B12 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.10.00.50
Configuration:

SINGLE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BZX79-B12

BZX79-B12 Allgemeine Beschreibung

Low-power voltage regulator diodes in hermetically sealed leaded glass SOD27 (DO-35) packages. The diodes are available in the normalized E24 +- 2 pct. (BZX79-B) and approx. +- 5 pct. (BZX79-C) tolerance range. The series consists of 37 types with nominal working voltages from 2.4 to 75 V.

Hauptmerkmale

Total power dissipation: max. 500 mW
Two tolerance series: +- 2pct. , and approx. +- 5pct.
Working voltage range: nom. 2.4 to 75 V (E24 range)
Non-repetitive peak reverse power dissipation: max. 40 W.

Anwendung

Low voltage stabilizers or voltage references.

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.10.00.50
Configuration	SINGLE	Diode Type	ZENER DIODE
Dynamic Impedance-Max	25 Ω	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Operating Temperature-Max	200 °C
Power Dissipation-Max	0.4 W	Reference Voltage-Nom	12 V
Surface Mount	NO	Terminal Finish	Matte Tin (Sn)
Voltage Tol-Max	2%	Working Test Current	5 mA

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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