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CDP7624-000 +BOM

Schottky Diodes & Rectifiers Ku-BAND Cj@0V .15pF Vf 450-575mV @ 1mA

CDP7624-000 Allgemeine Beschreibung

RF Diode Schottky - Single 3V 100 mA Die

Hauptmerkmale

  • Both P-type and N-type low barrier silicon available
  • Low 1/f noise
  • Bonded junctions for reliability
  • Planar passivated beam-lead and chip construction
  • See also zero bias silicon schottky barrier detector diodes

Anwendung

  • Electronic Warfare
  • Instrumentation
  • Radar
  • Space
  • Surveillance Systems
  • Military Communications
  • Avionics

Spezifikationen

Category Discrete Semiconductor ProductsDiodesRF Diodes Series *

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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