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CME7660-000 +BOM

Versatile and efficient device ideal for use in wireless communication circuits

email Email: [email protected]
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tel Tel: +852 95804164

CME7660-000 Allgemeine Beschreibung

RF Diode Schottky - Single 2V 100 mA 75 mW Die

Hauptmerkmale

  • Both P-type and N-type low barrier silicon available
  • Low 1/f noise
  • Bonded junctions for reliability
  • Planar passivated beam-lead and chip construction
  • See also zero bias silicon schottky barrier detector diodes

Anwendung

  • Radar
  • Instrumentation
  • Space
  • Surveillance Systems
  • Electronic Warfare
  • Military Communications
  • Avionics

Spezifikationen

Category Discrete Semiconductor ProductsDiodesRF Diodes Series *

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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