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Siehe Technische Spezifikationen

D2282UK +BOM

Silicon N-Channel MOSFET for RF Small Signal in UHF Band

Hersteller:

tt electronics
Herstellerteil #:

D2282UK
Datenblatt:

D2282UK Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

400 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

40 V
EDA/CAD Modelle:

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D2282UK Allgemeine Beschreibung

D2282UK N-Channel MOSFET Transistor, 400 mA, 40 V, 4-Pin SOT-223 Semelab

Hauptmerkmale

SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
LOW Crss
SIMPLE BIAS CIRCUITS
LOW NOISE (Typical <2dB NF)
HIGH GAIN – 8dB MINIMUM
SURFACE MOUNT

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	400 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Operating Frequency	1 GHz
Gain	8 dB	Output Power	750 mW
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Mounting Style	SMD/SMT
Configuration	Single	Pd - Power Dissipation	2 W
Product Type	RF MOSFET Transistors	Subcategory	MOSFETs
Type	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V to 5 V

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